机译:缓冲器设计可最大程度降低GaN / AlGaN HFET中的电流崩塌
机译:多层碳掺杂/非掺杂GaN缓冲对抑制AlGaN / GaN HFET中电流崩塌的影响
机译:然后讨论AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因AlGaN / GaN HFET中的低频磁滞和电流色散的原因
机译:多层碳掺杂/未掺杂GaN缓冲液对AlGaN / GaN HFET的电流塌陷的影响
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型